Preskočiť na obsah
Košík:
0
záznamov
(Plný)
Prihlásiť
Jazyk
Anglický
Slovenský
Katalóg
Katalóg monografií
Katalóg článkov
Katalóg voľných diel
Katalóg obchodne nedostupných diel
Všetko
Názov
Autor
Predmet
Signatúra
ISBN/ISSN
Hľadať
Pokročilé
MBE growth and characterisatio...
Vytvoriť citáciu
Vytlačiť
Exportovať záznam
Export to MARC
Export to BibTeX
Export to Jednoduchý textový výpis
Export to ISBD (text)
Export to Citácia ISO 690 (HTML)
Export to Citácia ISO 690 (.doc)
Pridať do košíka
Odobrať z košíka
Trvalý odkaz
MBE growth and characterisation of epitaxial layers based on GaAs
Podrobná bibliografia
Hlavný autor:
Vincze, Andrej
(Autor)
Médium:
Článok
Jazyk:
angličtina
ISBN:
8022712566
Pozri predplatné
Predplatné
Kliknite na „Pozri predplatné“.
Exempláre
Popis
Podobné exempláre
UNIMARC/MARC
Podobné exempláre
GROWTH CONDITIONS AND CHARACTERISATION OF GaAs LAYERS GROWN BY MBE
Autor: Vincze, Andrej, a ďalší
MOVPE GROWTH AND PROPERTIES OF GaMnAs EPITAXIAL LAYERS
Autor: Novák, J., a ďalší
Influence of the layer stages on MBE growth
Autor: Papajová, Dana, 1967-, a ďalší
Thermodynamic analysis of the GaInAsSb epitaxial layers growth by MOVPE
Autor: Stejskal, Josef 1941-, a ďalší
TECHNOLOGY AND CHARACTERISATION OF AlGaAs/GaAs GRADIENT HETEROSTRUCTURES FOR PHOTODETECTOR APPLICATIONS
Autor: Szyszka, Adam, a ďalší
Predchádzajúci
Ďalší
Podobné exempláre
GROWTH CONDITIONS AND CHARACTERISATION OF GaAs LAYERS GROWN BY MBE
Autor: Vincze, Andrej, a ďalší
MOVPE GROWTH AND PROPERTIES OF GaMnAs EPITAXIAL LAYERS
Autor: Novák, J., a ďalší
Influence of the layer stages on MBE growth
Autor: Papajová, Dana, 1967-, a ďalší
Thermodynamic analysis of the GaInAsSb epitaxial layers growth by MOVPE
Autor: Stejskal, Josef 1941-, a ďalší
TECHNOLOGY AND CHARACTERISATION OF AlGaAs/GaAs GRADIENT HETEROSTRUCTURES FOR PHOTODETECTOR APPLICATIONS
Autor: Szyszka, Adam, a ďalší