Szyszka, A., Apostoluk, A., Masenelli, B., Tłaczała, M., Wosko, M., Paszkiewicz, R., & Macherzynski, W. PROPERTIES OF ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES WITH DOUBLE GAN BUFFER LAYER FOR HFET FABRICATION.
Citácia podľa Chicago (17th ed.)Szyszka, Adam, Aleksandra Apostoluk, Bruno Masenelli, Marek Tłaczała, Mateusz Wosko, Regina Paszkiewicz, a Wojciech Macherzynski. PROPERTIES OF ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES WITH DOUBLE GAN BUFFER LAYER FOR HFET FABRICATION.
Citácia podľa MLA (8th ed.)Szyszka, Adam, et al. PROPERTIES OF ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES WITH DOUBLE GAN BUFFER LAYER FOR HFET FABRICATION.
Upozornenie: Tieto citáce sú generované automaticky. Nemusia byť úplne správne podľa citačných pravidiel..
