Preskočiť na obsah
Košík:
0
záznamov
(Plný)
Prihlásiť
Jazyk
Anglický
Slovenský
Katalóg
Katalóg monografií
Katalóg článkov
Katalóg voľných diel
Katalóg obchodne nedostupných diel
Všetko
Názov
Autor
Predmet
Signatúra
ISBN/ISSN
Hľadať
Pokročilé
PREPARATION AND PROPERTIES OF...
Vytvoriť citáciu
Vytlačiť
Exportovať záznam
Export to MARC
Export to BibTeX
Export to Jednoduchý textový výpis
Export to ISBD (text)
Export to Citácia ISO 690 (HTML)
Export to Citácia ISO 690 (.doc)
Pridať do košíka
Odobrať z košíka
Trvalý odkaz
PREPARATION AND PROPERTIES OF Al0.3Ga0.7N/GaN SCHOTTKY DIODES
Podrobná bibliografia
Hlavní autori:
Donoval, Daniel, 1953-
(Autor)
,
Uherek, František, 1954-
(Autor)
,
Hotový, Ivan, 1957-
(Autor)
,
Kováč, J.
(Autor)
,
Škriniarová, J.
(Autor)
,
Florovič, M.
(Autor)
,
Michalka, M.
(Autor)
,
Kordoš, Peter, 1939-
(Autor)
,
Řeháček, V.
(Autor)
Médium:
Článok
Jazyk:
angličtina
ISBN:
9788080707095
Pozri predplatné
Predplatné
Kliknite na „Pozri predplatné“.
Exempláre
Popis
Podobné exempláre
UNIMARC/MARC
Popis
ISBN:
9788080707095
Podobné exempláre
SIMULATION OF TUNNELING CURRENT IN GaN SCHOTTKY DIODES
Autor: Osvald, J.
INFLUENCE OF LAYER STRUCTURE ON PERFORMANCE OF AlGaN/GaN HEMTs
Autor: Kováč, Jaroslav, 1947-, a ďalší
CHARACTERIZATION, MODELING, AND SIMULATION OF In0.12Al0.88N/GaN HEMTs
Autor: Donoval, Daniel, 1953-, a ďalší
Performance of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors at higher ambient temperatures
Autor: Florovič, Martin, 1978-, a ďalší
Effect of annealing on electrical characteristics of platinum based Schottky contacts to n-GaN layers
Autor: Macherzyński, Wojciech, 1980-, a ďalší