IMPROVING THE OHMIC PROPERTIES OF CONTACTS TO P-GAN BY ADDING P-TYPE DOPANTS INTO THE METALLIZATION LAYER

Podobné exempláre

• IMPROVING THE OHMIC PROPERTIES OF Au/Ni-Mg/p-GaN CONTACTS BY ADDING SWCNT METALLIZATION INTERLAYER BETWEEN METAL AND p-GaN LAYERS
  Autor: Hotový, Ivan, 1957-, a ďalší
  Vydavateľské údaje: (2013)
• OHMIC CONTACTS TO p-GaN USING Au/Ni-Zn-O METALLIZATION
  Autor: Bonanni, Alberta, a ďalší
• OHMIC CONTACTS TO p-GaN USING Au/Ni-Mg-O METALLIZATION
  Autor: Bonanni, Alberta, a ďalší
• OHMIC CONTACTS TO p-GaN BASED ON THE SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBES
  Autor: Liday, Jozef, a ďalší
  Vydavateľské údaje: (2013)
• LOW TEMPERATURE OHMIC CONTACTS FOR SELF-ALIGNED GAN-BASED HEMTS
  Autor: Gregušová, Dagmar, 1958-, a ďalší