Preskočiť na obsah
Košík:
0
záznamov
(Plný)
Prihlásiť
Jazyk
Anglický
Slovenský
Katalóg
Katalóg monografií
Katalóg článkov
Katalóg voľných diel
Katalóg obchodne nedostupných diel
Všetko
Názov
Autor
Predmet
Signatúra
ISBN/ISSN
Hľadať
Pokročilé
INVESTIGATION OF INTERFACE TRA...
Vytvoriť citáciu
Vytlačiť
Exportovať záznam
Export to MARC
Export to BibTeX
Export to Jednoduchý textový výpis
Export to ISBD (text)
Export to Citácia ISO 690 (HTML)
Export to Citácia ISO 690 (.doc)
Pridať do košíka
Odobrať z košíka
Trvalý odkaz
INVESTIGATION OF INTERFACE TRAPS OF MOS STRUCTURES WITH ULTRATHIN SiO2 LAYERS USING ACOUSTOELECTRIC RESPONSE
Podrobná bibliografia
Hlavní autori:
Bury, Peter, 1949-
(Autor)
,
Hockicko, Peter, 1973-
(Autor)
,
Sidor, Peter
(Autor)
Médium:
Článok
Jazyk:
angličtina
Pozri predplatné
Predplatné
Kliknite na „Pozri predplatné“.
Exempláre
Popis
Podobné exempláre
UNIMARC/MARC
Popis
Žiadný popis.
Podobné exempláre
Investigation of acoustoelectric response of SiMOS structures
Autor: Bury, P., a ďalší
Investigation of interfacial layers in MOS structures by acoustic spectroscopy
Autor: Bury, P., a ďalší
Investigation of Mobile Ions Density in SiO2 Layer of MOS Structure
Autor: Valehrachová, Daniela, 1950-, a ďalší
ACOUSTOELECTRIC INVESTIGATION OF DEEP CENTERS IN BULK AND MULTILAYERED SEMICONDUCTORS
Autor: Jamnický, Igor, 1945-, a ďalší
Acoustoelectric investigation of heterojunctions dynamic properties
Autor: Ďurček, J., a ďalší
