Preskočiť na obsah
Košík:
0
záznamov
(Plný)
Prihlásiť
Jazyk
Anglický
Slovenský
Katalóg
Katalóg monografií
Katalóg článkov
Katalóg voľných diel
Katalóg obchodne nedostupných diel
Všetko
Názov
Autor
Predmet
Signatúra
ISBN/ISSN
Hľadať
Pokročilé
Vplyv autodopingu fosforu na p...
Vytvoriť citáciu
Vytlačiť
Exportovať záznam
Export to MARC
Export to BibTeX
Export to Jednoduchý textový výpis
Export to ISBD (text)
Export to Citácia ISO 690 (HTML)
Export to Citácia ISO 690 (.doc)
Pridať do košíka
Odobrať z košíka
Trvalý odkaz
Vplyv autodopingu fosforu na prahové napätie tranzistorov MOS ; Ivan Doležal, Jozef Richvalský, Gabriel Czókoly, Peter Baluska
Podrobná bibliografia
Hlavní autori:
Doležal, Ivan
(Autor)
,
Richvalský, Jozef
(Autor)
,
Czókoly, Gabriel
(Autor)
,
Baluska, Peter
(Autor)
Médium:
Článok
Jazyk:
slovenčina
Predmet:
tranzistory MOS
články z novín a časopisov
Pozri predplatné
Predplatné
Kliknite na „Pozri predplatné“.
Exempláre
Popis
Podobné exempláre
UNIMARC/MARC
Popis
Fyzický popis:
Graf 1. Sch. 2., lit. 1 zázn. v angl.
Podobné exempláre
Some Considerations of Short-Channel MOS Model Selection for an Analog Circuit Simulation Program
Autor: Mrčarica, Željko, a ďalší
Měření parametrů tranzistorů MOS v integrovaných obvodech
Autor: Kirchner, M., a ďalší
Obvodový model a komplexná analýza pamäťovej bunky pomocou hraničnej plochy
Autor: Špány, Viktor, 1927-
Metóda vytvorenia úzkych hradiel tranzistorov V-MOS a spojovacích vodičov v drážke v leptu
Autor: Doležal, Ivan, a ďalší
Spoľahlivosť MOS integrovaných obvodov
Autor: Slovík, Alojz