Rozměry geometrie integrovaného bipolárního tranzistoru é jejich vztah k parametrům modelu: první aproximace
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Médium: | Článok |
| Jazyk: | slovenčina čeština |
| Fyzický popis: | Obr. 3. Tb. 1. Res. rus., nem., angl. |
| Predmet: |
Podobné exempláre
A novel extraction method for BJT-parameters
Autor: Lórencz, Róbert, 1957-, a ďalší
Autor: Lórencz, Róbert, 1957-, a ďalší
I-V Characteristics and their Temperature Dependence in As and GaAs Collector Regions of Heavily Doped HBTs
Autor: De, S. S., a ďalší
Autor: De, S. S., a ďalší
The First Czecho-Slovak Power Insulated Gate Bipolar Transistors
Autor: Orgoň, Miloš, 1956-
Autor: Orgoň, Miloš, 1956-
Preparation and Properties of InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors
Autor: Jakabovič, Ján, a ďalší
Autor: Jakabovič, Ján, a ďalší
