Preskočiť na obsah
Košík:
0
záznamov
(Plný)
Prihlásiť
Jazyk
Anglický
Slovenský
Katalóg
Katalóg monografií
Katalóg článkov
Katalóg voľných diel
Katalóg obchodne nedostupných diel
Všetko
Názov
Autor
Predmet
Signatúra
ISBN/ISSN
Hľadať
Pokročilé
Interphase Reactions at Metal-...
Vytvoriť citáciu
Vytlačiť
Exportovať záznam
Export to MARC
Export to BibTeX
Export to Jednoduchý textový výpis
Export to ISBD (text)
Export to Citácia ISO 690 (HTML)
Export to Citácia ISO 690 (.doc)
Pridať do košíka
Odobrať z košíka
Trvalý odkaz
Interphase Reactions at Metal-GaAs Interfaces
Podrobná bibliografia
Hlavný autor:
Breza, Juraj, 1951-
(Autor)
Médium:
Článok
Jazyk:
slovenčina
angličtina
Fyzický popis:
Grafy 10, tab. 1, lit. 16 zázn. v angl., ruš.
ISSN:
0013-578X
Predmet:
polovodiče GaAs
kovy
kontakty Schottkyho
články z novín a časopisov
Pozri predplatné
Predplatné
Kliknite na „Pozri predplatné“.
Exempláre
Popis
Podobné exempláre
UNIMARC/MARC
Podobné exempláre
The Properties of Mo-GaAs Schottky Contacts after Thermal and Radiation Treatments
Autor: Borkovskaja, O. Ju
Investigation of Deep Energy Levels in an AlGaAs-GaAs Heterostructure by DLTS
Autor: Stuchlíková, Ľubica, 1967-, a ďalší
Simulation of Electrical Characteristics of Schottky Structures on GaAs
Autor: Hromcová, J., a ďalší
Kvantové mikroelektronické prvky
Chemical Etching of InGaP and GaAs in Solutions of HCl, H3PO4 and H2O2
Autor: Škriniarová, Jaroslava, a ďalší
Predchádzajúci
Ďalší
Podobné exempláre
The Properties of Mo-GaAs Schottky Contacts after Thermal and Radiation Treatments
Autor: Borkovskaja, O. Ju
Investigation of Deep Energy Levels in an AlGaAs-GaAs Heterostructure by DLTS
Autor: Stuchlíková, Ľubica, 1967-, a ďalší
Simulation of Electrical Characteristics of Schottky Structures on GaAs
Autor: Hromcová, J., a ďalší
Kvantové mikroelektronické prvky
Chemical Etching of InGaP and GaAs in Solutions of HCl, H3PO4 and H2O2
Autor: Škriniarová, Jaroslava, a ďalší