Investigation of Mobile Ions Density in SiO2 Layer of MOS Structure

Bibliographic Details
Main Authors: Valehrachová, Daniela, 1950- (Author), Lelák, Marcel (Author)
Format: Article
Language:Slovak
English
PhysicalDescription:Tab. 1, sch. 1, grafy 4, lit. 8 zázn. v angl.
ISSN:0013-578X
Subjects:

MARC

LEADER 00000nab a2200000 a 4500
001 vtls000505200
003 SK-MaSNL
005 20260304091947.0
008 250425c1992 xo 0 slo
015 |a SNBRB19rr/mm-uuuuu 
035 |a CL0505338 
035 |a urn:nbn:sk:snk-abd2fc 
035 |a (urnnbn)urn:nbn:sk:snk:ar-006ugo 
035 |a (uuid)b1876a39-517d-487a-ad63-b955e4f99094 
040 |a SNKBUCL  |b slo  |c SNKBUCL  |e AACR2 
041 0 |a eng 
044 |a xo  |c SK 
080 |a 621.382.049.7:621.315.61:621.317  |2 1981 
080 |a 621.315.61  |2 1981 
080 |a 621.317  |2 1981 
080 |a 621.3.049.7  |2 1981 
100 1 |a Valehrachová, Daniela,  |d 1950-  |4 aut  |9 222924 
245 1 0 |a Investigation of Mobile Ions Density in SiO2 Layer of MOS Structure  |c Daniela Valehrachová, Marcel Lelák 
300 |b Tab. 1, sch. 1, grafy 4, lit. 8 zázn. v angl. 
650 0 7 |a štruktúry MOS  |2 snkbucl  |9 1375235 
650 0 7 |a vrstvy elektroizolačné  |2 snkbucl  |9 1385005 
650 0 7 |a ióny mobilné  |2 snkbucl  |9 1385006 
655 7 |a články z novín a časopisov  |2 snkbucl  |9 267496 
700 1 |a Lelák, Marcel  |4 aut  |9 1385007 
773 0 |t Elektrotechnický časopis  |g Roč. 43, č. 12 (1992), s. 378-380  |x 0013-578X 
850 |a Slovenská národná knižnica 
852 |a Slovenská národná knižnica 
958 |a article17 
958 |a OND 
958 |a NB 
958 |a RK 
958 |a EUIPO 
992 |a RBX 
999 |c 2817588  |d 2819518