Traps in Proton Irradiated Silicon Characterized by Deep Level Transient Spectroscopy

Podrobná bibliografia
Hlavní autori: Nágl, Viliam (Autor), Hallén, Anders (Autor)
Médium: Článok
Jazyk:slovenčina
angličtina
Fyzický popis:Grafy 3, tab. 1, lit. 17 zázn. v angl.
ISSN:0013-578X
Predmet: