Enhancement of the Schottky Barrier Height on n-InGaAs by Thin InP Interlayers

Bibliographic Details
Main Authors: Kordoš, Peter, 1939- (Author), Marso, M. (Author), Lüth, H. (Author)
Format: Article
Language:Slovak
English
PhysicalDescription:Tab. 2, grafy 3, lit. 16 zázn. v angl.
ISSN:0013-578X
Subjects:

MARC

LEADER 00000nab a2200000 a 4500
001 vtls000505196
003 SK-MaSNL
005 20260304092618.0
008 250425c1992 xo 0 slo
015 |a SNBRB19rr/mm-uuuuu 
035 |a CL0505334 
035 |a urn:nbn:sk:snk-abd2f8 
035 |a (urnnbn)urn:nbn:sk:snk:ar-006ugl 
035 |a (uuid)d87f4a97-35de-4acc-b9da-b205c3f459d2 
040 |a SNKBUCL  |b slo  |c SNKBUCL  |e AACR2 
041 0 |a eng 
044 |a xo  |c SK 
080 |a 621.382.049.7  |2 1981 
080 |a 621.3.049.7  |2 1981 
100 1 |a Kordoš, Peter,  |d 1939-  |4 aut  |9 218026 
245 1 0 |a Enhancement of the Schottky Barrier Height on n-InGaAs by Thin InP Interlayers  |c P. Kordoš, M. Marso, H. Lüth 
300 |a Tab. 2, grafy 3, lit. 16 zázn. v angl. 
650 0 7 |a polovodiče InGaAs  |2 snkbucl  |9 1379360 
650 0 7 |a bariéry Schottkyho  |2 snkbucl  |9 1379263 
655 7 |a články z novín a časopisov  |2 snkbucl  |9 267496 
700 1 |a Marso, M.  |4 aut  |9 1171986 
700 1 |a Lüth, H.  |4 aut  |9 1386686 
773 0 |t Elektrotechnický časopis  |g Roč. 43, č. 12 (1992), s. 367-371  |x 0013-578X 
850 |a Slovenská národná knižnica 
852 |a Slovenská národná knižnica 
958 |a article17 
958 |a OND 
958 |a NB 
958 |a RK 
958 |a DE 
958 |a EUIPO 
992 |a RBX 
999 |c 2819703  |d 2821633