Ion implanted ohmic contacts to AlGaN/GaN structures
| Hlavní autori: | , , , |
|---|---|
| Médium: | Článok |
| Jazyk: | slovenčina angličtina |
| Fyzický popis: | Fotogr. |
| ISSN: | 1335-3632 |
| Predmet: |
Podobné exempláre
Microscale characterisation of optical and electrical parameters of UV GaN planar detectors
Autor: Szyszka, Adam, 1979-, a ďalší
Autor: Szyszka, Adam, 1979-, a ďalší
Submicrometer scale photoassisted wet etching of n-doped gallium nitride
Autor: Škriniarová, Jaroslava, a ďalší
Autor: Škriniarová, Jaroslava, a ďalší
Effect of annealing on electrical characteristics of platinum based Schottky contacts to n-GaN layers
Autor: Macherzyński, Wojciech, 1980-, a ďalší
Autor: Macherzyński, Wojciech, 1980-, a ďalší
Analysis and prevention of phosphorus contamination during antimony implantation
Autor: Kuruc, Marián, a ďalší
Autor: Kuruc, Marián, a ďalší
