Preskočiť na obsah
Košík:
0
záznamov
(Plný)
Prihlásiť
Jazyk
Anglický
Slovenský
Katalóg
Katalóg monografií
Katalóg článkov
Katalóg voľných diel
Katalóg obchodne nedostupných diel
Všetko
Názov
Autor
Predmet
Signatúra
ISBN/ISSN
Hľadať
Pokročilé
CHARACTERIZATION OF HIGH ENERG...
Vytvoriť citáciu
Vytlačiť
Exportovať záznam
Export to MARC
Export to BibTeX
Export to Jednoduchý textový výpis
Export to ISBD (text)
Export to Citácia ISO 690 (HTML)
Export to Citácia ISO 690 (.doc)
Pridať do košíka
Odobrať z košíka
Trvalý odkaz
CHARACTERIZATION OF HIGH ENERGY IRRADIATED MOS STRUCTURES USING THE CAPACITANCE METHODS
Podrobná bibliografia
Hlavní autori:
Harmatha, Ladislav, 1948-
(Autor)
,
Stuchlíková, Ľubica, 1967-
(Autor)
,
Ťapajna, Milan, 1977-
(Autor)
,
Csabay, Otto, 1937-2013
(Autor)
,
Písečný, P.
(Autor)
Médium:
Článok
Jazyk:
slovenčina
angličtina
Pozri predplatné
Predplatné
Kliknite na „Pozri predplatné“.
Exempláre
Popis
Podobné exempláre
UNIMARC/MARC
Podobné exempláre
MOS implanted structures irradiated by high-energy ions
Autor: Stuchlíková, Ľubica, 1967-, a ďalší
RADIATION HARDNESS OF MOS STRUCTURES EXPOSED TO HIGH-ENERGY IONS
Autor: Harmatha, Ladislav, 1948-, a ďalší
ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF MOS STRUCTURES WITH A Ni METAL GATE ON THIN HIGH-k DIELECTRICS
Autor: Novotný, Ivan, a ďalší
DLTS STUDY OF VARACTOR STRUCTURES EXPOSED TO HIGH ENERGY ELECTRON IRRADIATION
Autor: Harmatha, Ladislav, 1948-, a ďalší
Determination of Carrier Concentration Profile of MOS (pn) Structures by the Capacitance Technique
Autor: Kinder, Rudolf, a ďalší
Predchádzajúci
Ďalší
Podobné exempláre
MOS implanted structures irradiated by high-energy ions
Autor: Stuchlíková, Ľubica, 1967-, a ďalší
RADIATION HARDNESS OF MOS STRUCTURES EXPOSED TO HIGH-ENERGY IONS
Autor: Harmatha, Ladislav, 1948-, a ďalší
ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF MOS STRUCTURES WITH A Ni METAL GATE ON THIN HIGH-k DIELECTRICS
Autor: Novotný, Ivan, a ďalší
DLTS STUDY OF VARACTOR STRUCTURES EXPOSED TO HIGH ENERGY ELECTRON IRRADIATION
Autor: Harmatha, Ladislav, 1948-, a ďalší
Determination of Carrier Concentration Profile of MOS (pn) Structures by the Capacitance Technique
Autor: Kinder, Rudolf, a ďalší