Preskočiť na obsah
Košík:
0
záznamov
(Plný)
Prihlásiť
Jazyk
Anglický
Slovenský
Katalóg
Katalóg monografií
Katalóg článkov
Katalóg voľných diel
Katalóg obchodne nedostupných diel
Všetko
Názov
Autor
Predmet
Signatúra
ISBN/ISSN
Hľadať
Pokročilé
THEORETICAL PRINCIPLES OF ACOU...
Vytvoriť citáciu
Vytlačiť
Exportovať záznam
Export to MARC
Export to BibTeX
Export to Jednoduchý textový výpis
Export to ISBD (text)
Export to Citácia ISO 690 (HTML)
Export to Citácia ISO 690 (.doc)
Pridať do košíka
Odobrať z košíka
Trvalý odkaz
THEORETICAL PRINCIPLES OF ACOUSTIC CHARACTERIZATION OF INTERFACE STATES DISTRIBUTION IN VERY THIN MOS STRUCTURES
Podrobná bibliografia
Hlavní autori:
Bellan, I.
(Autor)
,
Bury, P.
(Autor)
,
Hardoň, Š.
(Autor)
Médium:
Článok
Jazyk:
angličtina
ISBN:
9788055408811
Pozri predplatné
Predplatné
Kliknite na „Pozri predplatné“.
Exempláre
Popis
Podobné exempláre
UNIMARC/MARC
Podobné exempláre
Investigation of interfacial layers in MOS structures by acoustic spectroscopy
Autor: Bury, P., a ďalší
NEW SPECTROSCOPIC METHOD FOR THE OBSERVATION OF SEMICONDUCTOR INTERFACE STATES AND ITS APPLICATION TO MOS STRUCTURE
Autor: Kobayashi, H., a ďalší
ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF MOS STRUCTURES WITH A Ni METAL GATE ON THIN HIGH-k DIELECTRICS
Autor: Novotný, Ivan, a ďalší
INVESTIGATION OF INTERFACE TRAPS OF MOS STRUCTURES WITH ULTRATHIN SiO2 LAYERS USING ACOUSTOELECTRIC RESPONSE
Autor: Bury, Peter, 1949-, a ďalší
CHARACTERIZATION OF HIGH ENERGY IRRADIATED MOS STRUCTURES USING THE CAPACITANCE METHODS
Autor: Harmatha, Ladislav, 1948-, a ďalší
