Preskočiť na obsah
Košík:
0
záznamov
(Plný)
Prihlásiť
Jazyk
Anglický
Slovenský
Katalóg
Katalóg monografií
Katalóg článkov
Katalóg voľných diel
Katalóg obchodne nedostupných diel
Všetko
Názov
Autor
Predmet
Signatúra
ISBN/ISSN
Hľadať
Pokročilé
IDENTIFICATION OF DOMINANT DEF...
Vytvoriť citáciu
Vytlačiť
Exportovať záznam
Export to MARC
Export to BibTeX
Export to Jednoduchý textový výpis
Export to ISBD (text)
Export to Citácia ISO 690 (HTML)
Export to Citácia ISO 690 (.doc)
Pridať do košíka
Odobrať z košíka
Trvalý odkaz
IDENTIFICATION OF DOMINANT DEFECTS IN NITROGEN-DOPED CZOCHRALSKI-GROWN SILICON USING CAPACITANCE MEASUREMENT TECHNIQUES
Podrobná bibliografia
Hlavní autori:
Bobula, J.
(Autor)
,
Harmatha, Ladislav, 1948-
(Autor)
,
Stuchlíková, Ľubica, 1967-
(Autor)
,
Ťapajna, Milan, 1977-
(Autor)
Médium:
Článok
Jazyk:
angličtina
ISBN:
9788080707095
Pozri predplatné
Predplatné
Kliknite na „Pozri predplatné“.
Exempláre
Popis
Podobné exempláre
UNIMARC/MARC
Podobné exempláre
PROPERTIES OF Si-SiO2 ITERFACES IN MOS STRUCTURES WITH NITROGEN-DOPED SILICON
Autor: Breza, Juraj, 1951-, a ďalší
Determination of doping profiles by an automated electrochemical capacitance-voltage technique
Autor: Kinder, Rudolf, 1940-, a ďalší
Investigation of BF2+ Implanted Silicon by Capacitance Methods
Autor: Kinder, Rudolf, a ďalší
INFLUENCE OF 90MeV Kr HEAVY IONS ON MOS STRUCTURE WITH NITROGEN-DOPED SILICON SUBSTRATE
Autor: Harmatha, Ladislav, 1948-, a ďalší
Electronic Structure of Oxygen-Vacancy Defect in Silicon
Autor: Mudroň, Ján, 1949-, a ďalší
