Skip to content
Book Bag:
0
items
(Full)
Login
Language
English
Slovak
Catalog
Catalog Books
Articles
Catalog ONDV
Catalog OND
All Fields
Title
Author
Subject
Call Number
ISBN/ISSN
Find
Advanced
Měření parametrů tranzistorů M...
Cite this
Print
Export Record
Export to MARC
Export to BibTeX
Export to Jednoduchý textový výpis
Export to ISBD (text)
Export to Citácia ISO 690 (HTML)
Export to Citácia ISO 690 (.doc)
Add to Book Bag
Remove from Book Bag
Permanent link
Měření parametrů tranzistorů MOS v integrovaných obvodech
Bibliographic Details
Main Authors:
Kirchner, M.
(Author)
,
Kirschner, M.
(Author)
Format:
Article
Language:
Czech
Slovak
PhysicalDescription:
Lit. 3 zázn. v češ., angl.
Subjects:
integrované obvody
tranzistory MOS
meranie veličín elektrických
články zo zborníkov
Pozri predplatné
Predplatné
Kliknite na „Pozri predplatné“.
Holdings
Description
Similar Items
Staff View
Similar Items
Vplyv autodopingu fosforu na prahové napätie tranzistorov MOS ; Ivan Doležal, Jozef Richvalský, Gabriel Czókoly, Peter Baluska
by: Doležal, Ivan, et al.
Some Considerations of Short-Channel MOS Model Selection for an Analog Circuit Simulation Program
by: Mrčarica, Željko, et al.
Spoľahlivosť MOS integrovaných obvodov
by: Slovík, Alojz
Identifications of Perturbations in Electric Circuits
by: Neveselý, M.
Obvodový model a komplexná analýza pamäťovej bunky pomocou hraničnej plochy
by: Špány, Viktor, 1927-