Skip to content
Book Bag:
0
items
(Full)
Login
Language
English
Slovak
Catalog
Catalog Books
Articles
Catalog ONDV
Catalog OND
All Fields
Title
Author
Subject
Call Number
ISBN/ISSN
Find
Advanced
VLIV ROZLOŽENÍ TEPLOTY V REAKČ...
Cite this
Print
Export Record
Export to MARC
Export to BibTeX
Export to Jednoduchý textový výpis
Export to ISBD (text)
Export to Citácia ISO 690 (HTML)
Export to Citácia ISO 690 (.doc)
Add to Book Bag
Remove from Book Bag
Permanent link
VLIV ROZLOŽENÍ TEPLOTY V REAKČNÍM PROSTORU NA RŮST EPITAXNÍCH VRSTEV GaP PŘIPRAVENÝCH CHLORIDOVOU TRANSPORTNÍ METODOU
Bibliographic Details
Main Author:
Andrle, C.
(Author)
Format:
Article
Language:
Czech
Pozri predplatné
Predplatné
Kliknite na „Pozri predplatné“.
Holdings
Description
Similar Items
Staff View
Similar Items
POUŽITÍ GaN K DOTACI EPITAXNÍCH VRSTEV GaP DUSÍKEM
by: Tomek, K.
VYŠETŘOVÁNÍ VLASTNOSTÍ EPITAXNÍCH VRSTEV GaP ELEKTRICKÝMI A HMOTOVĚ-SPEKTRÁLNÍMI METODAMI
by: Viktora, B., et al.
Měření prostorového rozložení fotoluminiscence v epitaxních vrstvách GaP pro elektroluminiscenční diody
by: Výborný, Zdeněk, et al.
PŘÍSPĚVEK K PŘÍPRAVĚ EPITAXNÍCH VRSTEV GaAs A P-N PŘECHODŮ GaAsP A GaP RŮSTEM Z PLYNNÉ FÁZE
by: Deml, F., et al.
TERMODYNAMICKÉ ASPEKTY PŘÍPRAVY EPITAXNÍCH VRSTEV GaN METODOU MOVPE
by: Maršík, Petr, et al.
