Cover Image

Vplyv podmienok iónovej implantácie na koncentračný profil majoritných nosičov náboja

Bibliographic Details
Main Authors:	Kinder, R. (Author), Csabay, Otto, 1937-2013 (Author)
Format:	Article
Language:	Slovak
PhysicalDescription:	Grafy 5., lit. 12 zázn. v slov., češ., angl.
Subjects:	obvody integrované polovodičové implantácia iónová nosiče náboja články zo zborníkov

Similar Items

Vplyv parametrov implantácie na pohyblivosť nosičov náboja v kanáli tranzistorov typu MISFET
by: Partyk, Bohuslav, 1911-1990, et al.

Analýza využitia kapacitných metód pri určovaní koncentračných profilov nosičov náboja, štruktúr MOS s implantovanou vrstvou operačného typu vodivosti ako substrát
by: Kinder, R.

Uplatnenie PVD technológií a iónovej implantácie v strojárstve
by: Kráľ, Jozef, et al.

Hĺbkové profily koncentrácií nosičov náboja a Hallových pohyblivostí v implantovaných vrstvách GaAs(Si) ; Karol Měřinský, Pavol Boháček, Peter Kordoš, Július Betko
by: Měřínský, Karol, 1928-, et al.

Povrchová generačná rýchlosť nosičov nábojov pri nerovnovážnom ochudobnení povrchu kremíka ; Ladislav Hulényi, Ladislav Harmatha, Otto Csabay, Miloš Orgoň
by: Hulényi, Ladislav, 1938-, et al.