Technické a ekonomické aspekty zachovania LSI MOS IO
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Médium: | Článok |
| Jazyk: | slovenčina |
| Fyzický popis: | Obr. 1. Sch. 3. Grafy 3. |
| Predmet: |
Podobné exempláre
Prenosová účinnosť v CCD obvodoch a jej využívanie na testovanie MOS technológie
Autor: Pastorek, A., a ďalší
Autor: Pastorek, A., a ďalší
Epitaxní růst látek A B z plynné fáze: teoretické aspekty a ověření technologie na (Ga,In)As
Autor: Stejskal, Jozef, a ďalší
Autor: Stejskal, Jozef, a ďalší
Automatické meranie závislosti CDD-U štruktúr MOS impulzovou metódou
Autor: Kinder, Rudolf, a ďalší
Autor: Kinder, Rudolf, a ďalší
On some characteristics of a semiconductor surface
Autor: De, S. S., a ďalší
Autor: De, S. S., a ďalší
