Boháček, P., Ďuriček, Ľ., & Tonkó, P. Correction of Electron Drift Mobility Depth Profiles for Parasitic Resistances in Ion-Implanted GaAs MESFET Structures.
Citácia podľa Chicago (17th ed.)Boháček, Pavel, Ľ Ďuriček, a P. Tonkó. Correction of Electron Drift Mobility Depth Profiles for Parasitic Resistances in Ion-Implanted GaAs MESFET Structures.
Citácia podľa MLA (8th ed.)Boháček, Pavel, et al. Correction of Electron Drift Mobility Depth Profiles for Parasitic Resistances in Ion-Implanted GaAs MESFET Structures.
Upozornenie: Tieto citáce sú generované automaticky. Nemusia byť úplne správne podľa citačných pravidiel..
