Skip to content
Book Bag:
0
items
(Full)
Login
Language
English
Slovak
Catalog
Catalog Books
Articles
Catalog ONDV
Catalog OND
All Fields
Title
Author
Subject
Call Number
ISBN/ISSN
Find
Advanced
Analysis and correction of car...
Cite this
Print
Export Record
Export to MARC
Export to BibTeX
Export to Jednoduchý textový výpis
Export to ISBD (text)
Export to Citácia ISO 690 (HTML)
Export to Citácia ISO 690 (.doc)
Add to Book Bag
Remove from Book Bag
Permanent link
Analysis and correction of carrier spilling effect for different Si structures
Bibliographic Details
Main Authors:
Kuruc, Marián, 1979-
(Author)
,
Hulényi, Ladislav, 1938-
(Author)
,
Kinder, Rudolf, 1940-
(Author)
Format:
Article
Language:
Slovak
English
Subjects:
polovodičové štruktúry
nosiče náboja
elektrické merania
modelovanie a simulácia
Pozri predplatné
Predplatné
Kliknite na „Pozri predplatné“.
Holdings
Description
Similar Items
Staff View
Similar Items
Determination of carrier profiles on bevelled GaAs structures by PCIV method
by: Kinder, Rudolf, 1940-, et al.
Vyhodnocovanie koncentračných profilov v GaAs kapacitnou metódou
by: Hulényi, Ladislav, 1938-, et al.
Analýza využitia kapacitných metód pri určovaní koncentračných profilov nosičov náboja, štruktúr MOS s implantovanou vrstvou operačného typu vodivosti ako substrát
by: Kinder, R.
Vplyv podmienok iónovej implantácie na koncentračný profil majoritných nosičov náboja
by: Kinder, R., et al.
Povrchová generačná rýchlosť nosičov nábojov pri nerovnovážnom ochudobnení povrchu kremíka ; Ladislav Hulényi, Ladislav Harmatha, Otto Csabay, Miloš Orgoň
by: Hulényi, Ladislav, 1938-, et al.